Wafel z węglika krzemu Podłoże monokrystaliczne Arkusze kwadratowe SIC - typ przewodzący 4H, grubość 0,35 mm, 1 szt.

- Płytka z węglika krzemu (SiC) przeznaczona do zastosowań eksperymentalnych w badaniach naukowych, idealna do zastosowań w energoelektronice i optoelektronice.
- Posiada typ przewodzący 4H o grubości 0,35 mm, umożliwiający doskonałą przewodność elektryczną i zarządzanie ciepłem w zaawansowanych projektach badawczych.
- Wytrzymuje temperatury robocze przekraczające 400°C dzięki szerokiemu pasmu wzbronionemu, dzięki czemu nadaje się do zastosowań i środowisk o wysokiej temperaturze.
- Oferuje krytyczne natężenie pola przebicia około dziesięciokrotnie większe od krzemu, zapewniając niezawodność w zastosowaniach urządzeń wysokiego napięcia.
- Wysoka przewodność cieplna skutecznie odprowadza ciepło, utrzymując optymalną wydajność urządzenia oraz umożliwiając wyższe częstotliwości pracy i miniaturyzację elementów elektronicznych.